IRFR420A ， IRFU420A ， SiHFR420A ，
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
17
4.3
8.5
单身
D
特点
500
3.0
•低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
•改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
•充分界定电容和雪崩电压
和电流
•有效的C
OSS
特定网络版
•铅（Pb） ，免费提供
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
应用
•开关模式电源（SMPS ）
·不间断电源
•高速电源开关
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR420APbF
SiHFR420A-E3
IRFR420A
SiHFR420A
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR420ATRPbF
a
SiHFR420AT-E3
a
-
-
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR420ATRLPbF
SiHFR420ATL-E3
-
-
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU420APbF
SiHFU420A-E3
IRFU420A
SiHFU420A
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
500
± 30
3.3
2.1
10
0.67
140
2.5
5.0
83
3.4
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
重复性雪崩
当前
a
能源
a
dv / dt的
c
最大功率耗散
峰值二极管恢复
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
a.
b.
c.
d.
重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
起始物为
J
= 25 ° C，L = 45 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 2.5 A（见图12 ） 。
I
SD
≤
2.5 A ， di / dt的
≤
270 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
1.6毫米的情况。
www.kersemi.com
1
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
