PD - 96344
汽车级
特点
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AUIRFR5410
HEXFET
®
功率MOSFET
D
●
●
高级平面技术
P沟道MOSFET
低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
重复性雪崩中允许多达
TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D
-100V
0.205
-13A
G
S
描述
专为汽车应用，
HEXFET功率的这个蜂窝平面设计
MOSFET的采用了最新的加工技术
以实现低导通电阻每硅片面积。这
受益结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于
在汽车和各种其他的使用
应用程序。
D
S
D- PAK
AUIRFR5410
G
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V
I
DM
漏电流脉冲
马克斯。
-13
-8.2
-52
66
0.53
± 20
194
-8.4
6.3
-5.0
-55到+ 150
300
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
c
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
雪崩电流
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
c
d
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
c
e
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
gj
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.9
50
110
单位
° C / W
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
i
www.kersemi.com
1
12/06/10
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
