汽车级
®
PD-96302
特点
P沟道
低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
AUIRFR6215
HEXFET功率MOSFET
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
S
-150V
0.295
:
-13A
G
I
D
D
描述
专为汽车应用
HEXFET功率MOSFET的采用了最新的处理
技术，以实现低的导通电阻每硅片面积。
这样做的好处结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在汽车和一个用
各种各样的其它应用程序。
G
D- PAK
AUIRFR6215
D
S
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是
只强调额定功率;和
该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规格不implied.Exposure
绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
马克斯。
-13
-9.0
-44
110
0.71
± 20
310
-6.6
11
5.0
-55〜 + 175
300
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
ch
ch
dh
e
ch
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
hj
典型值。
马克斯。
1.4
50
110
单位
° C / W
i
–––
–––
–––
wwwkersemi.com
1
04/13/10
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
