IRFR9110 ， IRFU9110 ， SiHFR9110 ， SiHFU9110
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
- 100
V
GS
= - 10 V
8.7
2.2
4.1
单身
S
特点
•
•
•
•
•
•
•
•
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装（ IRFR9110 / SiHFR9110 ）
直铅（ IRFU9110 / SiHFU9110 ）
可用磁带和卷轴
P沟道
快速开关
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
1.2
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本effictiveness 。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型surcace安装应用。
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9110PbF
SiHFR9110-E3
IRFR9110
SiHFR9110
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9110TRLPbF
a
SiHFR9110TL-E3
a
IRFR9110TRL
a
SiHFR9110TL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9110TRPbF
a
SiHFR9110T-E3
a
IRFR9110TR
a
SiHFR9110T
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU9110PbF
SiHFU9110-E3
IRFU9110
SiHFU9110
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
- 100
± 20
- 3.1
- 2.0
- 12
0.20
0.020
140
- 3.1
2.5
25
2.5
- 5.5
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 21 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 3.1 （见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 4.0 A， di / dt的
≤
75 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
www.kersemi.com
1
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
