IRFR9210 , IRFU9210 , SiHFR9210 , SiHFU9210
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
- 200
V
GS
= - 10 V
8.9
2.1
3.9
单身
S
特点
•动态的dv / dt额定值
3.0
•额定重复性雪崩
•表面贴装( IRFR9210 / SiHFR9210 )
•直铅( IRFU9210 / SiHFU9210 )
•可用磁带和卷轴
• P沟道
•快速开关
•铅(Pb) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
描述
G
D
P沟道MOSFET
功率MOSFET技术的关键是Vishay的
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何形状的功率MOSFET和独特的加工
设计实现极低的通态电阻结合
高跨导和极端设备的耐用性。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相,红外,或波焊工艺。直
铅版( IRFU / SiHFU系列)是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
包
铅(Pb ) - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK ( TO- 252 )
IRFR9210PbF
SiHFR9210-E3
IRFR9210
SiHFR9210
DPAK ( TO- 252 )
IRFR9210TRPbF
a
SiHFR9210T-E3
a
IRFR9210TR
a
SiHFR9210T
a
DPAK ( TO- 252 )
-
-
IRFR9210TRL
a
SiHFR9210TL
a
IPAK ( TO- 251 )
IRFU9210PbF
SiHFU9210-E3
IRFU9210
SiHFU9210
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子( PCB安装)
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
最大功率耗散( PCB安装)
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
- 200
± 20
- 1.9
- 1.2
- 7.6
0.20
0.020
300
- 1.9
2.5
25
2.5
- 5.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
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