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IRFR9220TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFR9220TRPBF图片预览
型号: IRFR9220TRPBF
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内容描述: 动态的dv / dt额定值 [Dynamic dV/dt Rating]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 7 页 / 4435 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
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IRFR9220 , IRFU9220 , SiHFR9220 , SiHFU9220
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
- 200
V
GS
= - 10 V
20
3.3
11
单身
S
特点
1.5
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装( IRFR9220 / SiHFR9220 )
直铅( IRFUFU9220 / SiHFU9220 )
可用磁带和卷轴
P沟道
快速开关
铅(Pb ) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
描述
G
D
P沟道MOSFET
第三功率MOSFET技术的关键是威世
先进的线路功率MOSFET晶体管。高效
几何形状的功率MOSFET和独特的加工
设计实现极低的通态电阻结合
高跨导和极端设备的耐用性。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相,红外,或波焊工艺。直
铅版( IRFU / SiHFU系列)是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
DPAK ( TO- 252 )
IRFR9220PbF
SiHFR9220-E3
IRFR9220
SiHFR9220
DPAK ( TO- 252 )
IIRFR9220TRLPbF
a
SiHFR9220TL-E3
a
IRFR9220TRL
a
SiHFR9220TL
a
DPAK ( TO- 252 )
IRFR9220TRRPbF
a
SiHFR9220TR-E3
a
IRFR9220TRR
a
SiHFR9220TR
a
DPAK ( TO- 252 )
IRFR9220TRPbF
a
SiHFR9220T-E3
a
IRFR9220TR
a
SiHFR9220T
a
IPAK ( TO- 251 )
IRFU9220PbF
SiHFU9220-E3
IRFU9220
SiHFU9220
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
- 200
± 20
- 3.6
- 2.3
- 14
0.33
0.020
310
- 3.6
4.2
42
2.5
- 5.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
脉冲漏
I
DM
线性降额因子
线性降额因子( PCB安装)
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
a
重复性雪崩电流
I
AR
a
E
AR
重复性雪崩能量
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
T
A
= 25 °C
最大功率耗散( PCB安装)
e
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议(峰值温度)
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= - 50 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 35 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 3.6 A(见图12 )。
C.我
SD
- 3.9 A, di / dt的
95 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料)。
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
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