IRFR9310 ， IRFU9310 ， SiHFR9310 ， SiHFU9310
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
- 400
V
GS
= - 10 V
13
3.2
5.0
单身
7.0
特点
•
•
•
•
•
•
•
P沟道
表面贴装（ IRFR9310 / SiHFR9310 ）
直铅（ IRFU9310 / SiHFU9310 ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
S
ð PAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
D
P沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9310PbF
SiHFR9310-E3
IRFR9310
SiHFR9310
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9310TRLPbF
a
SiHFR9310TL-E3
a
IRFR9310TRL
a
SiHFR9310TL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9310TRPbF
a
SiHFR9310T-E3
a
IRFR9310TR
a
SiHFR9310T
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9310TRRPbF
a
SiHFR9310TR-E3
a
-
-
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU9310PbF
SiHFU9310-E3
IRFU9310
SiHFU9310
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
- 400
± 20
- 1.8
- 1.1
- 7.2
0.40
92
- 1.8
5.0
50
- 24
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
T
C
= 25 °C
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 57 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 1.8 A（见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 1.1 A， di / dt的
≤
450 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
www.kersemi.com
1
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
