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IRFRC20TRRPBFA 参数 Datasheet PDF下载

IRFRC20TRRPBFA图片预览
型号: IRFRC20TRRPBFA
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 4340 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
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IRFRC20 , IRFUC20 , SiHFRC20 , SiHFUC20
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
18
3.0
8.9
单身
600
4.4
特点
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
表面贴装( IRFRC20 / SiHFRC20 )
直铅( IRFUC20 / SiHFUC20 )
可用磁带和卷轴
快速开关
易于并联的
铅(Pb ) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
对D PAK是专为使用蒸汽表面安装
相,红外,或波焊工艺。直
铅版( IRFUC / SiHFUC系列)是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型surcace安装应用。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
DPAK ( TO- 252 )
IRFRC20PbF
SiHFRC20-E3
IRFRC20
SiHFRC20
DPAK ( TO- 252 )
IRFRC20TRLPbF
a
SiHFRC20TL-E3
a
IRFRC20TRL
a
SiHFRC20TL
a
DPAK ( TO- 252 )
IRFRC20TRPbF
a
SiHFRC20T-E3
a
IRFRC20TR
a
SiHFRC20T
a
DPAK ( TO- 252 )
IRFRC20TRRPbF
a
SiHFRC20TR-E3
a
IRFRC20TRR
a
SiHFRC20TR
a
IPAK ( TO- 251 )
IRFUC20PbF
SiHFUC20-E3
IRFUC20
SiHFUC20
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
600
± 20
2.0
1.3
8.0
0.33
0.020
450
2.0
4.2
42
2.5
3.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
脉冲漏
I
DM
线性降额因子
线性降额因子( PCB安装)
e
单脉冲雪崩能量
b
E
AS
I
AR
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
E
AR
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
最大功率耗散( PCB安装)
T
A
= 25 °C
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议(峰值温度)
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 50 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 206 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 2.0 A(见图12 ) 。
C.我
SD
2.0 A , di / dt的
40 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料)。
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
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