IRFR020 ， IRFU020 ， SiHFR020 ， SiHFU020
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
25
5.8
11
单身
D
特点
60
0.10
•
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
•动态的dv / dt额定值
•表面贴装（ IRFR020 ， SiHFR020 ）
•可用磁带和卷轴
•快速开关
•易于并联的
•简单的驱动要求
•符合RoHS指令2002/95 / EC
DPAK
(TO-252)
D
D
IPAK
(TO-251)
描述
G
G
S
G
ð S
S
N沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
SiHFR020-GE3
IRFR020PbF
SiHFR020-E3
IRFR020
SiHFR020
DPAK （ TO- 252 ）
SiHFR020TR-GE3
IRFR020TRPbF
a
SiHFR020T-E3
a
IRFR020TR
a
SiHFR020T
a
IPAK （ TO- 251 ）
SiHFU020-GE3
IRFU020PbF
SiHFU020-E3
IRFU020
SiHFU020
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
坐骑）
e
E
AS
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 20
14
9.0
56
0.33
0.020
91
42
2.5
5.5
- 55至+ 150
260
d
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
线性降额因子
线性降额因子（PCB
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 541 μH ，R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 14 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
110 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
单脉冲雪崩能量
b
www.kersemi.com
1
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
