IRFR120 ， IRFU120 ， SiHFR120 ， SiHFU120
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
16
4.4
7.7
单身
D
特点
100
0.27
•动态的dv / dt额定值
•额定重复性雪崩
•表面贴装（ IRFR120 / SiHFR120 ）
•直铅（ IRFU120 / SiHFU120 ）
•可用磁带和卷轴
•快速开关
•易于并联的
•铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR120PbF
SiHFR120-E3
IRFR120
SiHFR120
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR120TRPbF
a
SiHFR120T-E3
a
IRFR120TR
a
SiHFR120T
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR120TRRPbF
a
SiHFR120TR-E3
a
IRFR120TRR
a
SiHFR120TR
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR120TRLPbF
a
SiHFR120TL-E3
a
IRFR120TRL
a
SiHFR120TL
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU120PbF
SiHFU120-E3
IRFU120
SiHFU120
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩
能源
a
T
C
= 25 °C
坐骑）
e
T
A
= 25 °C
最大功率耗散
最大功率耗散（PCB
峰值二极管恢复的dv / dt
c
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
www.kersemi.com
1
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
100
± 20
7.7
4.9
31
0.33
0.020
210
7.7
4.2
42
2.5
5.5
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
A
单位
V
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
