IRFU1N60A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFU1N60A
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	7 页 / 2674 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

IRFR1N60A ， IRFU1N60A ， SiHFR1N60A ， SiHFU1N60A

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

（最大）（ Ω ）

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

2.7

8.1

单身

特点

600

7.0

•低栅极电荷Q

结果简单驱动

需求

•改进的门，雪崩和动态dv / dt的

耐用性

可用的

RoHS指令*

柔顺

•充分界定电容和雪崩电压

和电流

•铅（Pb），免费提供

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

应用

•开关模式电源（SMPS ）

·不间断电源

•功率因数校正

N沟道

MOSFET

典型SMPS拓扑

•低功耗单管反激

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

DPAK （ TO- 252 ）

IRFR1N60APbF

SiHFR1N60A-E3

IRFR1N60A

SiHFR1N60A

DPAK （ TO- 252 ）

IRFR1N60ATRLPbF

SiHFR1N60ATL-E3

DPAK （ TO- 252 ）

IRFR1N60ATRPbF

SiHFR1N60AT-E3

IRFR1N60ATR

SiHFR1N60AT

DPAK （ TO- 252 ）

IRFR1N60ATRRPbF

SiHFR1N60ATR-E3

IPAK （ TO- 251 ）

IRFU1N60APbF

SiHFU1N60A-E3

IRFU1N60A

SiHFU1N60A

记

一。请参阅设备的方向。

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩电流

重复性雪崩能量

最大功率耗散

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

10秒

= 25 °C

dv / dt的

, T

英镑

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

极限

600

± 30

1.4

0.89

5.6

0.28

1.4

3.6

3.8

- 55至+ 150

300

W / ℃，

V / ns的

°C

单位

www.kersemi.com

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