IRFR224 ， IRFU224 ， SiHFR224 ， SiHFU224
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
14
2.7
7.8
单身
D
特点
250
1.1
•动态的dv / dt额定值
•额定重复性雪崩
•表面贴装（ IRFR224 / SiHFR224 ）
•直铅（ IRFU224 / SiHFU224 ）
•可用磁带和卷轴
•快速开关
•易于并联的
•铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
第三代功率MOSFET组成的Vishay提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波solderig技术。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR224PbF
SiHFR224-E3
IRFR224
SiHFR224
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR224TRPbF
a
SiHFR224T-E3
a
IRFR224TR
a
SiHFR224T
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR224TRLPbF
a
SiHFR224TL-E3
a
IRFR224TRL
a
SiHFR224TL
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU224PbF
SiHFU224-E3
IRFU224
SiHFU224
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
250
± 20
3.8
2.4
15
0.33
0.020
130
3.8
4.2
42
2.5
4.8
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
A
单位
V
www.kersemi.com
1
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
