IRFU2607ZPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFU2607ZPBF
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内容描述：	先进的工艺技术 [Advanced Process Technology]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 4141 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

IRFR2607ZPbF

IRFU2607ZPbF

特点

描述

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

LEAD -FREE

DSS

= 75V

DS （ ON）

= 22mΩ

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低的导通

每硅片面积的阻力。的附加功能

这样的设计是175 ° C的结温工作

TURE ，开关速度快，提高了重复

雪崩额定值。这些功能结合起来，使

这种设计的一个非常有效和可靠的设备

在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

= 42A

D- PAK

IRFR2607Z

马克斯。

180

110

0.72

± 20

I- PAK

IRFU2607Z

单位

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C连续漏电流， V

@ 10V

（硅有限公司）

@ T

= 100℃连续漏电流， V

@ 10V

@ T

= 25°C连续漏电流， V

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

= 25 °C功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

W / ℃，

AS （限热）

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

（测试）

英镑

雪崩电流

看到图12a ， 12b中，15，16

-55〜 + 175

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

热阻

θJC

θJA

结到外壳

参数

典型值。

马克斯。

1.38

110

单位

° C / W

结到环境（印刷电路板安装）

结到环境

–––

www.kersemi.com

12/21/04

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