IRFR320 ， IRFU320 ， SiHFR320 ， SiHFU320
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
20
3.3
11
单身
D
特点
400
1.8
•动态的dv / dt额定值
•额定重复性雪崩
•表面贴装（ IRFR320 / SiHFR320 ）
•直铅（ IRFU320 / SiHFU320 ）
•可用磁带和卷轴
•快速开关
•易于并联的
•铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR320PbF
SiHFR320-E3
IRFR320
SiHFR320
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR320TRLPbF
a
SiHFR320TL-E3
a
IRFR320TRL
a
SiHFR320TL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR320TRPbF
a
SiHFR320T-E3
a
IRFR320TR
a
SiHFR320T
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR320TRRPbF
a
SiHFR320TR-E3
a
IRFR320TRR
a
SiHFR320TR
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU320PbF
SiHFU320-E3
IRFU320
SiHFU320
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
400
± 20
3.1
2.0
12
0.33
0.020
160
3.1
4.2
42
2.5
4.0
- 55至+ 150
260
d
单位
V
A
I
DM
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
I
AR
E
AR
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
T
A
= 25 °C
最大功率耗散（ PCB安装）
峰值二极管恢复的dv / dt
c
dv / dt的
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 29 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 3.1 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
3.1 A， di / dt的
≤
65 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
www.kersemi.com
1
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
