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IRFU3411PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFU3411PBF图片预览
型号: IRFU3411PBF
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内容描述: 先进的工艺技术超低导通电阻 [Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 3838 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
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PD - 95371A
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先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
G
IRFR3411PbF
IRFU3411PbF
HEXFET
®
功率MOSFET
D
V
DSS
= 100V
R
DS ( ON)
= 44mΩ
描述
先进的HEXFET
®
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术,
实现极低的导通电阻每硅片面积。
这样做的好处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计, HEXFET功率MOSFET
是众所周知的,为设计者提供了一个
极其有效的和为在一个广泛使用的可靠装置
各种应用程序。
在D- Pak是专为使用蒸汽表面安装
相,红外,或波焊工艺。该
直铅, I-白,版本( IRFU系列)是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗最高水平
到1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
S
I
D
= 32A
D- PAK
IRFR3411
I- PAK
IRFU3411
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
32
23
110
130
0.83
± 20
16
13
7.0
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) *
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.2
50
110
单位
° C / W
www.kersemi.com
1
12/03/04