IRFU3504ZPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFU3504ZPBF
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内容描述：	先进的工艺技术 [Advanced Process Technology]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 4240 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

PD - 95521A

汽车MOSFET

IRFR3504ZPbF

IRFU3504ZPbF

HEXFET

功率MOSFET

特点

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

LEAD -FREE

DSS

= 40V

DS （ ON）

= 9.0mΩ

= 42A

描述

专为汽车应用，这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的处理技术，

实现极低的导通电阻每硅片面积。另外

这种设计的特点是一个175 ° C的结温工作

TURE ，开关速度快，提高了重复性雪崩

投资评级。这些功能结合起来，使这个设计非常

高效，可靠的装置，用于在汽车应用中使用，并

各种各样的其它应用。

D- PAK

IRFR3504Z

I- PAK

IRFU3504Z

绝对最大额定值

参数

= 25°C连续漏电流， V

@ 10V

（硅有限公司）

= 100℃连续漏电流， V

@ 10V

= 25°C连续漏电流， V

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

马克斯。

310

单位

= 25 °C功耗

AS （限热）

（测试）

英镑

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

W / ℃，

0.60

± 20

单脉冲雪崩能量测试值

110

看到图12a ， 12b中，15，16

-55〜 + 175

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装）

结到环境

典型值。

马克斯。

1.66

110

单位

° C / W

–––

www.kersemi.com

1/17/05

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