IRFU3710ZPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFU3710ZPBF
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲PC局域网
文件页数/大小：	12 页 / 4703 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

特点

IRFR3710ZPbF

IRFU3710ZPbF

IRFU3710Z-701PbF

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

多种封装选择

LEAD -FREE

DSS

= 100V

DS （ ON）

= 18mΩ

这HEXFET

功率MOSFET利用

最新的加工技术，以实现极

低导通电阻每硅片面积。另外

这种设计的特点是一个175 ℃的结

工作温度，快速开关速度和

改进型重复雪崩额定值。这些

特点相结合，使这个设计非常

高效，可靠的装置，用于在一个宽的使用

各种应用程序。

描述

= 42A

D- PAK

I- PAK

IRFR3710ZPbF IRFU3710ZPbF

我朴Leadform 701

IRFU3710Z-701PbF

请参阅第11页封装外形

马克斯。

220

140

0.95

± 20

150

200

看到图12a ， 12b中，15，16

-55〜 + 175

°C

300 （ 1.6毫米从案例）

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

@ T

= 25°C

AS （限热）

（测试）

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

（硅有限公司）

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

雪崩电流

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

单位

W / ℃，

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装）

结到环境

典型值。

马克斯。

1.05

110

单位

° C / W

–––

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