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IRFU430A 参数 Datasheet PDF下载

IRFU430A图片预览
型号: IRFU430A
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 7 页 / 2318 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
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IRFR430A , IRFU430A , SiHFR430A , SiHFU430A
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
24
6.5
13
单身
D
特点
500
1.7
•低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
•改进的门,雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
•充分界定电容和雪崩电压
和电流
•有效的C
OSS
特定网络版
•铅(Pb) ,免费提供
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
应用
•开关模式电源(SMPS )
·不间断电源
S
N沟道
MOSFET
•高速电源开关
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
DPAK ( TO- 252 )
IRFR430APbF
SiHFR430A-E3
IRFR430A
SiHFR430A
DPAK ( TO- 252 )
IRFR430ATRPbF
a
SiHFR430AT-E3
a
IRFR430ATR
a
SiHFR430AT
a
DPAK ( TO- 252 )
IRFR430ATRLPbF
a
SiHFR430ATL-E3
a
IRFR430ATRL
a
SiHFR430ATL
a
DPAK ( TO- 252 )
IRFR430ATRRPbF
a
SiHFR430ATR-E3
a
IRFR430ATRR
a
SiHFR430ATR
a
IPAK ( TO- 251 )
IRFU430APbF
SiHFU430A-E3
IRFU430A
SiHFU430A
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
笔记
a.
b.
c.
d.
重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
起始物为
J
= 25 ° C,L = 11 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.0 A(见图12 ) 。
I
SD
5.0 A, di / dt的
320 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
1.6毫米的情况。
10秒
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
5.0
3.2
20
0.91
130
5.0
11
110
3.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
www.kersemi.com
1