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    IRFU5305PBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRFU5305PBF图片预览
    型号： IRFU5305PBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低导通电阻 [Ultra Low On-Resistance]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲PC局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 3862 K
    品牌： KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
     浏览型号IRFU5305PBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFU5305PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFU5305PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFU5305PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFU5305PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFU5305PBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFU5305PBF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRFU5305PBF的Datasheet PDF文件第9页  
    IRFR/U5305PbF
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    参数
    V
    （ BR ） DSS
    漏极至源极击穿电压
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    击穿电压温度。系数
    R
    DS （ ON）
    静态漏 - 源极导通电阻
    V
    GS （ TH）
    栅极阈值电压
    g
    fs
    正向跨导
    I
    DSS
    I
    GSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    L
    D
    L
    S
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    内部排水电感
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    分钟。典型值。马克斯。单位
    条件
    -55
    ––– –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -250µA
    --- -0.034 --- V / ° C参考到25° C，I
    D
    = -1mA
    –––
    ––– 0.065
    Ω
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    = -16A
    „
    -2.0 ––– -4.0
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = -250µA
    8.0
    ––– –––
    S
    V
    DS
    = -25V ，我
    D
    = -16A†
    –––
    ––– -25
    V
    DS
    = -55V, V
    GS
    = 0V
    µA
    –––
    ––– -250
    V
    DS
    = -44V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 150°C
    –––
    ––– 100
    V
    GS
    = 20V
    nA
    –––
    ––– -100
    V
    GS
    = -20V
    –––
    –––
    63
    I
    D
    = -16A
    –––
    –––
    13
    nC
    V
    DS
    = -44V
    –––
    –––
    29
    V
    GS
    = -10V ，见图。 6和13
    „†
    –––
    14
    –––
    V
    DD
    = -28V
    –––
    66
    –––
    I
    D
    = -16A
    ns
    –––
    39
    –––
    R
    G
    = 6.8Ω
    –––
    63
    –––
    R
    D
    = 1.6Ω ，见图。 10
    „†
    D
    铅之间，
    4.5 –––
    –––
    6毫米（0.25英寸）。
    nH
    G
    从包
    –––
    7.5
    –––
    而中心的模具接触
    …
    S
    ––– 1200 –––
    V
    GS
    = 0V
    –––
    520 –––
    pF
    V
    DS
    = -25V
    –––
    250 –––
    ƒ = 1.0MHz的，见图。五
    †
    源极 - 漏极额定值和特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    注意事项：
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向RecoveryCharge
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    71
    170
    -31
    -110
    -1.3
    110
    250
    V
    ns
    nC
    A
    条件
    D
    MOSFET符号
    展示
    G
    整体反转
    p-n结二极管。
    S
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = -16A ，V
    GS
    = 0V
    „
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = -16A
    的di / dt = -100A / μs的
    „†
    
    重复评价;脉冲宽度有限的
    最大。结温。 （参见图11）
    „
    脉冲宽度
    ≤
    300μS ;占空比
    ≤
    2%.
    …
    这个被施加用于I -PAK ，L-
    S
    的D- PAK时之间测量
    铅和模具联络中心。
    †
    使用IRF5305数据和试验条件。
    ‚
    V
    DD
    = -25V ，起始物为
    J
    = 25℃时，L = 2.1mH
    R
    G
    = 25Ω, I
    AS
    = -16A 。 （参见图12）
    ƒ
    I
    SD
    ≤
    -16A ， di / dt的
    ≤
    -280A / μs的，V
    DD
    ≤
    V
    （ BR ） DSS
    ,
    T
    J
    ≤
    175°C
    2
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