IRFU9024N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFU9024N
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内容描述：	超低导通电阻 [Ultra Low On-Resistance]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	10 页 / 2209 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

IRFR/U9024N

HEXFET

功率MOSFET

超低导通电阻

P沟道

表面贴装（ IRFR9024N ）

直铅（ IRFU9024N ）

先进的工艺技术

快速开关

全额定雪崩

DSS

= -55V

DS （ ON）

= 0.175Ω

= -11A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

在D- Pak是专为使用表面安装

气相，红外，或波焊工艺。

直引线型（ IRFU系列）是吞吐量

孔安装的应用程序。功耗水平

达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装

应用程序。

ð -P A K

T O服务-2 52 A A

I-P第k

为-2 5 1 A A

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

-11

-8

-44

0.30

± 20

-6.6

3.8

-10

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

3.3

110

单位

° C / W

1 /10

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