IRFR9214 ， IRFU9214 ， SiHFR9214 ， SiHFU9214
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
- 250
V
GS
= - 10 V
14
3.1
6.8
单身
S
特点
3.0
•
•
•
•
•
•
•
P沟道
表面贴装（ IRFR9214 / SiHFR9214 ）
直铅（ IRFU9214 / SiHFU9214 ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
D
P沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
该DPAK是专为使用蒸汽表面安装
相，红外，或波焊工艺。直
铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔
安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦
是可能的典型的表面安装的应用程序。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9214PbF
SiHFR9214-E3
IRFR9214
SiHFR9214
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9214TRLPbF
a
SiHFR9214TL-E3
a
IRFR9214TRL
a
SiHFR9214TL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR9214TRPbF
a
SiHFR9214T-E3
a
IRFR9214TR
a
SiHFR9214T
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU9214PbF
SiHFU9214-E3
IRFU9214
SiHFU9214
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
当前
a
T
C
= 25 °C
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复
dv / dt的
c
10秒
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
- 250
± 20
- 2.7
- 1.7
- 11
0.40
100
- 2.7
5.0
50
- 5.0
- 55至+ 150
260
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
www.kersemi.com
1
KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
