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IRFZ24 参数 Datasheet PDF下载

IRFZ24图片预览
型号: IRFZ24
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 7 页 / 3809 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
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IRFZ24 , SiHFZ24
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
()
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
25
5.8
11
单身
D
特点
60
0.10
•动态的dv / dt额定值
• 175 ° C的工作温度
•快速开关
•易于并联的
•简单的驱动要求
•符合RoHS指令2002/95 / EC
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
在TO- 220AB封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平,以约50瓦的低热阻
和TO- 220AB低封装成本有助于其
整个行业的广泛认可。
TO-220AB
G
G
D
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
TO-220AB
IRFZ24PbF
SiHFZ24-E3
IRFZ24
SiHFZ24
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 20
17
12
68
0.40
100
60
4.5
- 55〜 + 175
300
d
10
1.1
W / ℃,
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 25 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 403 μH ,R
g
= 25
,
I
AS
= 17 A(见图12 ) 。
C.我
SD
17 A, di / dt的
140 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
www.kersemi.com
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