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IRFZ48VPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFZ48VPBF图片预览
型号: IRFZ48VPBF
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内容描述: 先进的工艺技术 [Advanced Process Technology]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 3109 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
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IRFZ48VPbF
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先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
优化SMPS应用
LEAD -FREE
D
V
DSS
= 60V
R
DS ( ON)
= 12mΩ
G
S
I
D
= 72A
先进的HEXFET
®
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合快速开关速度和加固
设备的设计,HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知,为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置,用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功耗水平
到大约50瓦。的低热阻和
在TO- 220封装低的成本促进其广泛
接受整个行业。
描述
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲

功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
‚
雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt
ƒ
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3 srew
马克斯。
72
51
290
150
1.0
± 20
166
72
15
5.3
-55〜 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
www.kersemi.com
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
1.0
–––
62
单位
° C / W
1
09/22/10