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MBR20T100CT 参数 Datasheet PDF下载

MBR20T100CT图片预览
型号: MBR20T100CT
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内容描述: 175 ℃的高性能肖特基二极管 [175 °C high performance Schottky diode]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 6 页 / 2278 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
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MBR20T100CT
100
雪崩电流( A)
TJ = 25°C
10
TJ = 125°C
1
1
10
100
矩形脉冲持续时间(微秒)
图。 8 - 反向偏置安全工作区(雪崩电流与矩形脉冲宽度)
100
TJ = 25°C
雪崩能量(兆焦耳)
TJ = 125°C
10
1
1
10
100
矩形脉冲持续时间(微秒)
图。 9 - 反向偏置安全工作区(雪崩能量与矩形脉冲宽度)
www.kersemi.com
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