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MBR8100L 参数 Datasheet PDF下载

MBR8100L图片预览
型号: MBR8100L
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内容描述: 肖特基芯片 [Schottky Barrier Chip]
分类和应用: 二极管瞄准线功效局域网
文件页数/大小: 2 页 / 439 K
品牌: KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]
 浏览型号MBR8100L的Datasheet PDF文件第2页  
MBR870L - MBR8100L
特点
·
·
·
·
·
·
·
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
低功耗,高效率
高浪涌能力
高电流能力和低正向
电压降
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护中的应用
塑料材质:防火
分类额定值94V- 0
TO-220AC
L
B
C
K
D
A
1
2
暗淡
M
14.22
9.65
2.54
5.84
¾
12.70
0.51
3.53Æ
3.56
1.14
0.30
2.03
4.83
最大
15.88
10.67
3.43
6.86
6.35
14.73
1.14
4.09Æ
4.83
1.40
0.64
2.92
5.33
A
B
C
D
E
G
J
E
J
R
销1
销2
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:见图
重量:2.24克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
N
G
K
L
M
P
N
P
R
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
(注1 )
@ T
C
= 125°C
非重复性峰值正向浪涌电流,
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
重复峰值正向浪涌电流
正向电压降
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容(注2 )
典型热阻结到外壳(注1 )
变化的电压率(额定V
R
)
工作和存储温度范围
@ t
£
5.0ms
@ I
F
= 8.0A ,T
C
= 25°C
@ I
F
= 8.0A ,T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
I
FRM
V
FM
I
RM
C
j
R
QJC
dv / dt的
T
j,
T
英镑
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
MBR
870L
70
49
MBR
880L
80
56
8.0
230
850
0.72
0.58
0.55
7.0
350
2.0
10,000
MBR
890L
90
63
MBR
8100L
100
70
单位
V
V
A
A
A
V
mA
pF
K / W
V / ms的
°C
-55到+175
www.kersemi.com