MBR840 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MBR840
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内容描述：	肖特基芯片 [Schottky Barrier Chip]
分类和应用：	二极管瞄准线功效局域网
文件页数/大小：	2 页 / 429 K
品牌：	KERSEMI [ Kersemi Electronic Co., Ltd. ]

MBR830 - MBR860

8.0A肖特基整流器

特点

肖特基芯片

保护环片施工

瞬态保护

低功耗，高效率

高浪涌能力

高电流能力和低正向

电压降

为了在低电压，高频率

逆变器，续流和极性

保护中的应用

塑料材质：防火

分类额定值94V- 0

TO-220AC

暗淡

民

14.22

9.65

2.54

5.84

12.70

0.51

3.53Æ

3.56

1.14

0.30

2.03

4.83

最大

15.88

10.67

3.43

6.86

6.35

14.73

1.14

4.09Æ

4.83

1.40

0.64

2.92

5.33

销1

销2

机械数据

案例：模压塑料

终端：每焊镀信息

MIL- STD- 202方法208

极性：见图

重量：2.24克数（大约）

安装位置：任意

标记：型号数量

例

尺寸：mm

最大额定值和电气特性

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。

对于容性负载，减免电流20 ％。

特征

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

阻断电压DC

RMS反向电压

平均整流输出电流

（注1 ）

@ T

= 125°C

非重复峰值正向浪涌电流

8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷

（ JEDEC的方法）

重复峰值反向浪涌电流

正向电压降

@ t

2.0ms

@ I

= 8.0A ，T

= 125°C

@ I

= 8.0A ，T

= 25°C

@ I

= 16A ，T

= 25°C

@ T

= 25°C

@ T

= 125°C

符号

RRM

RWM

R（ RMS ）

FSM

RRM

QJC

dv / dt的

英镑

MBR

830

@ T

= 25 ° C除非另有说明

MBR

835

24.5

MBR

840

8.0

150

1.0

0.57

0.70

0.84

0.1

250

3.0

1000

MBR

845

31.5

MBR

850

MBR

860

单位

0.70

0.80

0.95

峰值反向电流

在额定阻断电压DC

典型结电容（注2 ）

K / W

V / ms的

°C

典型热阻结到外壳（注1 ）

变化的电压率（额定V

)

工作和存储温度范围

-65到+150

注意事项：

1.热阻结到外壳上安装散热片。

2.测得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。

www.kersemi.com

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