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    2N7002E 参数 Datasheet PDF下载

    2N7002E图片预览
    型号： 2N7002E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道Enhanceent型场效应晶体管 [N-Channel Enhanceent Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 1 页 / 45 K
    品牌： KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
       
    SMD型
    N沟道Enhanceent模式
    场效应晶体管
    2N7002E
    SOT-23
    +0.1
    2.9
    -0.1
    +0.1
    0.4
    -0.1
    MOSFET
    单位：mm
    +0.1
    2.4
    -0.1
    低栅极阈值电压
    低输入电容
    开关速度快
    低输入/输出泄漏
    +0.1
    1.3
    -0.1
    低导通电阻，R
    DS （ ON）
    1
    2
    0.95
    +0.1
    -0.1
    +0.1
    1.9
    -0.1
    0.55
    0.4
    特点
    3
    +0.05
    0.1
    -0.01
    0.97
    +0.1
    0.38
    -0.1
    +0.1
    -0.1
    1.Base
    1门
    2.Emitter
    2 SOURCE
    3.collector
    3漏
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    漏源电压
    漏极 - 栅极电压
    R
    GS
    1.0 m
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    V
    GSS
    I
    D
    P
    D
    R
    JA
    等级
    60
    60
    20
    40
    240
    300
    417
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    W
    栅源电压-Continuous
    脉冲
    漏电流 - 连续
    功耗
    热阻，结到环境
    工作和存储温度范围
    T
    j
    , T
    英镑
    电气特性TA = 25
    参数
    漏源击穿电压
    零栅压漏电流@ T
    C
    = 25
    @ T
    C
    = 125
    门体漏
    栅极阈值电压
    静态漏源导通电阻@ TJ = 25
    通态漏电流
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    打开-O FF延迟时间
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    I
    D（上）
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    D（关闭）
    V
    DD
    = 30V ，我
    D
    = 0.2A ，R
    L
    = 150
    = 10V ，R
    根
    = 25
    ,V
    根
    V
    DS
    = 25V, V
    GS
    = 0V ， F = 1.0MHz的
    V
    GS
    =
    15V, V
    DS
    = 0V
    1.0
    1.6
    2.0
    0.8
    80
    22
    11
    2.0
    7.0
    11
    50
    25
    5.0
    20
    20
    1.0
    符号
    V
    DSS
    I
    DSS
    Testconditons
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 10
    A
    民
    60
    典型值
    70
    1.0
    500
    10
    2.5
    3
    4
    A
    mS
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    nA
    V
    最大
    单位
    V
    A
    V
    DS
    = 60V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250毫安
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 250毫安
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 200毫安
    V
    GS
    = 10V, V
    DS
    = 7.5V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 0.2A
    记号
    记号
    K7B
    0-0.1
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