欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2N7002K 参数 Datasheet PDF下载

2N7002K图片预览
型号: 2N7002K
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道Enhanceent型场效应晶体管 [N-Channel Enhanceent Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 1 页 / 41 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
N沟道Enhanceent模式
场效应晶体管
2N7002K
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
MOSFET
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
+0.1
1.3
-0.1
低导通电阻,R
DS ( ON)
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
特点
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1门
2.Emitter
2 SOURCE
3.collector
3漏
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
漏电流-Pulsed
功耗
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
P
D
R
JA
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
等级
60
20
300
800
350
357
-65到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
W
T
j
, T
英镑
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
Testconditons
V
GS
= 0V时,我
D
= 10
A
60
1.0
10
1.0
1.6
2.5
2.0
3.0
80
50
25
5.0
ms
pF
pF
pF
典型值
最大
单位
V
A
A
V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
=
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5A
V
GS
= 5V ,我
D
= 0.05A
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.2V
记号
记号
K7K
0-0.1
www.kexin.com.cn
1