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2PA1576Q 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2PA1576Q
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内容描述: PNP通用晶体管 [PNP General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 48 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
PNP通用晶体管
2PA1576
晶体管
IC
特点
低电流(最大100 mA时)
低电压(最大40 V) 。
低集电极电容(典型值2.5 pF的) 。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
R
日J-一
等级
-50
-40
-5
-100
-200
-200
200
-65到+150
150
-65到+150
625
K / W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
2PA1576Q
2PA1576R
2PA1576S
集电极 - 发射极饱和电压
集电极电容
跃迁频率
*脉冲测试: TP
300 ìs; ä
0.02.
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= -30 V
I
E
= 0; V
CB
= -30 V ;牛逼
j
= 150
I
C
= 0; V
EB
= -4 V
120
180
270
典型值
最大
-100
-5
-100
270
390
560
-500
2.5
100
3.5
mV
pF
兆赫
单位
nA
ìA
nA
h
FE
I
C
= -1毫安; V
CE
= -6 V
V
CE ( SAT )
I
C
= -50毫安;我
B
= -5毫安; *
C
c
f
T
I
E
= IE = 0 ; V
CB
= -12 V ; F = 1 MHz的
I
C
= -2 mA的; V
CE
= -12 V ; F = 100 MHz的
h
FE
分类
TYPE
记号
2PA1576Q
FQ
2PA1576R
FR
2PA1576S
FS
www.kexin.com.cn
1