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2SA1122 参数 Datasheet PDF下载

2SA1122图片预览
型号: 2SA1122
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内容描述: PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用: 光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 36 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
PNP硅外延
2SA1122
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
低频放大器
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
T
英镑
等级
-55
-55
-5
-100
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
符号
Testconditons
-55
-55
-5
-0.5
-0.5
160
800
-0.5
-0.75
V
V
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
( BR ) CBO
I
C
= -10 IA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= -1毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= -10 IA ,我
C
= 0
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
V
CB
= -30 V,I
E
= 0
V
EB
= -2 V,I
C
= 0
V
CE
= -12 V,I
C
= -2毫安
I
C
= -10毫安,我
B
= -1毫安
V
CE
= -12 V,I
C
= -2毫安
h
FE
分类
记号
的hFE
CC
160 320
CD
250 500
CE
400 800
0-0.1
www.kexin.com.cn
1