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2SA1162 参数 Datasheet PDF下载

2SA1162图片预览
型号: 2SA1162
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内容描述: PNP硅外延型晶体管 [Silicon PNP Epitaxial Type Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 87 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
 浏览型号2SA1162的Datasheet PDF文件第2页  
SMD型
PNP硅外延型晶体管
2SA1162
SOT-23
晶体管
特点
高电压和高电流: V
首席执行官
= -50 V,I
C
= ? 150毫安(最大值)
+0.1
2.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
低噪声(典型值) NF = 1分贝, 10分贝(最大值)
小型封装
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
等级
-50
-50
-5
-150
-30
150
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极输出电容
噪声系数
跃迁频率
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -50 V,I
E
= 0
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
V
CE
= -6 V,I
C
= -2毫安
70
-0.1
4
1.0
80
典型值
最大
-0.1
-0.1
400
-0.3
7
10
V
pF
dB
兆赫
单位
A
A
V
CE (SAT)
I
C
= -100毫安,我
B
= -10毫安
C
ob
NF
f
T
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= -6 V,I
C
= -0.1毫安, F = 1 kHz时,
RG = 10千
V
CE
= -10 V,I
C
= -1毫安
h
FE
分类
记号
的hFE
70
SO
O
140
120
SY
Y
240
SR
GR
200
400
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
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