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    2SA1179 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1179图片预览
    型号： 2SA1179
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP外延平面硅晶体管 [PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 1 页 / 37 K
    品牌： KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
       
    SMD型
    晶体管
    IC
    PNP外延平面硅晶体管
    2SA1179
    SOT-23
    +0.1
    2.9
    -0.1
    +0.1
    0.4
    -0.1
    单位：mm
    特点
    +0.1
    2.4
    -0.1
    +0.1
    1.3
    -0.1
    高的击穿电压
    1
    2
    0.95
    +0.1
    -0.1
    +0.1
    1.9
    -0.1
    0.55
    0.4
    3
    +0.05
    0.1
    -0.01
    0.97
    +0.1
    0.38
    -0.1
    +0.1
    -0.1
    1.Base
    2.Emitter
    3.collector
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    Jumction温度
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    -55
    -50
    -5
    -150
    200
    150
    -50-150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    输出电容
    跃迁频率
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    Testconditons
    I
    C
    = -10ìA ，我
    E
    = 0A
    I
    C
    = -1mA ，R
    BE
    =
    I
    E
    = -10ìA ，我
    C
    = 0A
    V
    CB
    = -35V ，我
    E
    = 0A
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = -6V ，我
    C
    = -1mA
    200
    民
    -55
    -50
    -5
    -0.1
    -0.1
    400
    -0.5
    -1.0
    4.0
    180
    V
    V
    pF
    兆赫
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = -50mA ，我
    B
    = -5mA
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = -50mA ，我
    B
    = -5mA
    C
    ob
    f
    T
    V
    CB
    = -6V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    = -6V ，我
    C
    = -10mA
    记号
    记号
    M
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