2SA1365 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1365
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内容描述：	硅PNP Epitaxia [Silicon PNP Epitaxia]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 39 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

硅PNP Epitaxia

2SA1365

SOT-23

晶体管

单位：mm

特点

低集电极到发射极饱和电压。

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

超小型封装，便于安装。

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

+0.1

1.3

-0.1

出色的线性度NOF正向直流电流增益。

高集电极电流。

高增益带宽产品。

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散（ TA = 25 ）

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-25

-20

-4

-1

-700

150

125

-55到+125

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益（ * ）

集电极 - 发射极饱和电压

增益带宽积

*它显示ħ

分类右表。

符号

Testconditons

民

-25

-20

-4

-1

150

-0.2

180

800

-0.5

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

（ BR ） CBO

= -10 IA ，我

= 0

（ BR ） CEO

= -100 IA ，R

（ BR ） EBO

= -10 IA ，我

= 0

CBO

EBO

= -25 V，I

= 0

= -2 V，I

= 0

= -4 V，I

= -100毫安

= -500毫安，我

= -25毫安

= -6 V，I

= 10毫安

分类

记号

的hFE

150 300

250

500

400

800

0-0.1

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