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型号: 2SA2018
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内容描述: 低频晶体管 [Low Frequency Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 35 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
低频晶体管
2SA2018
晶体管
IC
SOT-523
+0.1
1.6
-0.1
+0.1
1.0
-0.1
+0.05
0.2
-0.05
单位:mm
特点
集电极电流大
集电极饱和电压低。 V
CE ( SAT )
250mA
在我
C
=200mA/I
B
=10mA
2
+0.01
0.1
-0.01
1
+0.15
1.6
-0.15
0.55
+0.25
0.3
-0.05
+0.1
0.5
-0.1
0.35
3
1.基地
+0.05
0.75
-0.05
+0.1
-0.1
0.8
2.辐射源
3.集气
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*单脉冲, PW = 1毫秒
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CP
*
P
C
T
j
T
英镑
等级
15
12
500
1
150
150
-55到+150
单位
V
V
mA
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输出电容
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE
I
C
=10
I
C
=1mA
I
E
=10
A
A
Testconditons
15
12
6
100
270
100
6.5
260
680
250
mV
pF
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
V
CB
=15V
V
CE
= 2V ,我
C
=10mA
V
CE ( SAT )
I
C
/I
B
=200mA/10mA
C
ob
f
T
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
V
CE
= 2V ,我
E
= 10毫安中,f = 100MHz的
记号
记号
BW
+0.05
0.8
-0.05
www.kexin.com.cn
1