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型号: 2SA811A
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内容描述: PNP硅外延晶体管 [PNP Silicon Epitaxial Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 37 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
PNP硅外延晶体管
2SA811A
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
高直流电流增益。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
-120
-120
-5
-50
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极 - 发射极饱和电压*
基极 - 发射极电压*
增益带宽积
输出电容
*脉冲测试: TP
350 ; ð
0.02.
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -120V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -6V ,我
C
= -1mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -0.1mA
V
CE ( SAT )
I
C
= -10mA ,我
B
= -1mA
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= -6V ,我
C
= -1mA
V
CE
= -6V ,我
E
= 1毫安
V
CB
= -30V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
135
100
500
500
-0.09 -0.30
-0.55 -0.61 -0.65
50
90
2.0
3.0
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
-50
-50
900
单位
nA
nA
h
FE
分类
记号
的hFE
C15
135 270
C16
200 400
C17
300 600
C18
450
900
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
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