2SB1132 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1132
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内容描述：	中功率晶体管 [Medium Power Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 353 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

中功率晶体管

2SB1132

晶体管

特点

低V

CE （ SAT ）

致意2SD1664

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

（DC）的

单脉冲，P

=100ms

集电极耗散功率

Jumction温度

存储温度范围

*安装在40x40x0.7mm陶瓷板。

英镑

符号

CBO

首席执行官

EBO

等级

-40

-32

-5

-1

-2

0.5

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

直流电流增益

跃迁频率

集电极输出电容

符号

CBO

EBO

Testconditons

= -20V ，我

= 0

= -4V ，我

= 0

-40

-32

-5

150

390

兆赫

民

典型值

最大

-0.5

单位

ìA

（ BR ） CBO

= -50uA ，我

= 0

（ BR ） CEO

= -1mA ，我

= 0

（ BR ） EBO

= -50uA

= -3V ，我

= -0.1A

= -5V ，我

= 50mA时F = 30MHz的

= -10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

分类

记号

秩

180

120

270

180

390

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