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    2SB1184 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1184图片预览
    型号： 2SB1184
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率晶体管 [Power transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 40 K
    品牌： KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
       
    SMD型
    功率晶体管
    2SB1184
    TO-252
    +0.15
    1.50
    -0.15
    晶体管
    单位：mm
    2.30
    +0.8
    0.50
    -0.7
    +0.1
    -0.1
    特点
    低V
    CE （ SAT ）
    .
    PNP硅晶体管。
    6.50
    +0.2
    5.30
    -0.2
    +0.15
    -0.15
    +0.2
    9.70
    -0.2
    +0.1
    0.80
    -0.1
    +0.15
    0.50
    -0.15
    0.127
    最大
    2.3
    4.60
    +0.15
    -0.15
    +0.1
    0.60
    -0.1
    +0.28
    1.50
    -0.1
    +0.25
    2.65
    -0.1
    +0.15
    5.55
    -0.15
    1 BASE
    2个集热器
    3发射器
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率（TC = 25 ）
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    Tj
    T
    英镑
    等级
    -60
    -50
    -5
    -3
    1
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    直流电流传输比
    输出电容
    跃迁频率
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    I
    C
    =-50ìA
    I
    C
    =-1mA
    I
    E
    =-50ìA
    V
    CB
    =-40V
    V
    EB
    =-4V
    Testconditons
    民
    -60
    -50
    -5
    -1
    -1
    -1
    82
    70
    50
    390
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    ìA
    ìA
    V
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    = -0.2A
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    = -3V ，我
    C
    = -0.5A
    V
    CE
    = -5V ，我
    E
    = 0.5A ， F = 30MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    =0A,f=1MHz
    h
    FE
    分类
    秩
    的hFE
    P
    82 180
    Q
    120 270
    R
    180 390
    3
    .8
    0
    外延平面型
    www.kexin.com.cn
    1

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