2SB1188 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1188
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内容描述：	中功率晶体管 [Medium Power Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 51 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

中功率晶体管

2SB1188

晶体管

特点

低V

CE （ SAT ）

= -0.5V （典型值）。

= -2A / -0.2A)

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

Jumction温度

储存温度

* PW = 100毫秒

符号

CBO

首席执行官

EBO

CP *

英镑

等级

-40

-32

-5

-2

-3

0.5

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿voltae

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

跃迁频率

输出电容

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

= -50 A

= -1mA

= -50 A

= -20V

= -4V

-0.5

100

Testconditons

民

-40

-32

-5

-1

-0.8

390

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

CE （ SAT ）

= -2A ，我

= -0.2A

= -3V ，我

= -0.5A

= -5V ，我

= 0.5A ， F = 30MHz的

= -10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

分类

记号

秩

的hFE

82 180

120 270

180 390

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