2SB1424 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1424
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内容描述：	低VCE （ SAT ）晶体管 [Low VCE(sat) Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 52 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

低VCE （ SAT ）晶体管

2SB1424

晶体管

特点

低V

CE （ SAT ）

. V

CE （ SAT ）

= -0.2V （典型值）。（我

= -2A / -0.1A)

优良的直流电流增益特性。

PNP硅晶体管

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

*单脉冲Pw = 10ms的。

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-20

-6

-3

-5

0.5

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿voltae

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输出电容

跃迁频率

符号

CBO

首席执行官

EBO

= -50ìA

= -1mA

= -50ìA

= -20V

= -5V

= -2V ，我

= -0.1A

120

Testconditons

民

-20

-6

-0.1

390

-0.5

240

兆赫

典型值

最大

单位

CE （ SAT ）

= -2A/ -0.1A

= -10V ，我

= 0A ， F = 1MHz的

= -2V ，我

= 0.5A ， F = 100MHz的

分类

记号

秩

的hFE

AEQ

120 270

AER

180 390

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