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2SB709A 参数 Datasheet PDF下载

2SB709A图片预览
型号: 2SB709A
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内容描述: PNP硅外延平面型 [Silicon PNP Epitaxial Planar Type]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 37 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
PNP硅外延平面型
2SB709A
晶体管
IC
特点
高正向电流传输比H
FE
.
迷你型封装,设备,允许小型化,
+0.1
2.4
-0.1
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
包装。
+0.1
1.3
-0.1
通过带包装盒自动插入
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
-45
-45
-7
-100
-200
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电流
集电极 - 发射极电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
Testconditons
I
C
= -10 IA ,我
E
= 0
I
C
= -2毫安,我
B
= 0
I
E
= -10 IA ,我
C
= 0
V
CB
= -20 V,I
E
= 0 A
V
CE
= -10 V,I
B
= 0 A
V
CE
= -10 V,I
C
= -2毫安
160
-0.3
80
2.7
-45
-45
-7
-0.1
-100
460
-0.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= -100毫安,我
B
= -10毫安
f
T
C
ob
V
CB
= -10 V,I
E
= 1毫安, F = 200 MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
h
FE
分类
记号
h
FE
BQ
160 260
BR
210 340
BS
290 460
0-0.1
www.kexin.com.cn
1