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2SC2618 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC2618
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内容描述: NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 36 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
NPN硅外延
2SC2618
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
低频放大器。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
35
35
4
500
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
符号
Testconditons
35
35
4
0.5
100
10
0.2
0.64
0.6
V
V
320
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
V
( BR ) CBO
I
C
= 10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= 10ìA ,我
C
= 0
I
CBO
h
FE
1
h
FE
2
V
CB
= 20V ,我
C
= 0
V
CE
= 3V ,我
C
= 10毫安
V
CE
= 3V ,我
C
= 500毫安
V
CE ( SAT )
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
V
BE
V
CE
= 3V ,我
C
= 10毫安
h
FE
分类
记号
的hFE
RC
100 200
RD
160 320
0-0.1
www.kexin.com.cn
1