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2SC2983 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC2983
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内容描述: NPN硅外延型晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 40 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
NPN硅外延型晶体管
2SC2983
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
晶体管
单位:mm
+0.1
2.30
-0.1
特点
高Transiton频率: FT = 100MHz的( TYP 。 )
+0.2
9.70
-0.2
+0.15
6.50
-0.15
+0.2
5.30
-0.2
0.50
+0.8
-0.7
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗TA = 25
T
C
= 25
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
等级
160
160
5
1.5
0.3
1
15
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
fT
COB
Testconditons
V
CB
=160V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=100mA
I
C
=500mA,I
B
=50mA
V
CE
=5V,I
C
=500mA
V
CE
=10V,I
C
=100mA
V
CB
=10V.I
E
=0,f=1MHz
100
25
160
5
70
240
1.5
1
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
1
1
单位
ìA
ìA
V
V
h
FE
分类
记号
的hFE
O
70至140
Y
120至240
3
.8
0
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1