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    2SC3075 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3075图片预览
    型号： 2SC3075
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延型晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 1 页 / 43 K
    品牌： KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
       
    SMD型
    NPN硅外延型晶体管
    2SC3075
    TO-252
    +0.15
    1.50
    -0.15
    晶体管
    单位：mm
    +0.1
    2.30
    -0.1
    +0.15
    6.50
    -0.15
    +0.2
    5.30
    -0.2
    0.50
    +0.8
    -0.7
    特点
    出色的开关时间
    +0.2
    9.70
    -0.2
    t
    r
    = 1.0ìs （最大）T
    f
    = 1.5ìs （最大） ，在我
    C
    =0.5A
    高colletor击穿电压： V
    首席执行官
    =400V
    +0.1
    0.80
    -0.1
    +0.15
    0.50
    -0.15
    0.127
    最大
    2.3
    4.60
    +0.15
    -0.15
    +0.1
    0.60
    -0.1
    +0.28
    1.50
    -0.1
    +0.25
    2.65
    -0.1
    +0.15
    5.55
    -0.15
    1 BASE
    2个集热器
    3发射器
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    基极电流
    总功耗TA = 25
    T
    C
    = 25
    结温
    储存温度
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    cp
    I
    B
    P
    C
    等级
    500
    400
    7
    0.8
    1.5
    0.5
    1
    10
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基地 - 发射极电压
    切换时间接通0N时间
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    （ BR ） EBO
    V
    （ BR ） CEO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    tr
    Testconditons
    V
    CB
    =400V,I
    E
    =0
    V
    EB
    =7V,I
    C
    =0
    I
    E
    =1mA,I
    C
    =0
    I
    C
    =10mA,I
    B
    =0
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =0.1A
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =0.5A
    I
    C
    =0.1A,I
    B
    =0.01A
    I
    C
    =0.1A,I
    B
    =0.01A
    500
    400
    20
    10
    0.5
    1
    1
    V
    V
    ìs
    100
    民
    典型值
    最大
    100
    100
    单位
    ìA
    ìA
    V
    V
    切换存储时间
    TSTG
    2.5
    3
    .8
    0
    ìs
    tf
    切换下降时间
    1.5
    ìs
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    1

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