SMD型
NPN硅外延
2SC3123
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
低反向传输电容：CRE = 0.4F （ TYP 。 ）
0.55
高转换增益： GCE = 23分贝（ TYP 。 ）
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
20
3
50
25
150
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
反向传输电容
跃迁频率
转换增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 25V ，我
E
= 0
V
EB
= 3V ，我
C
= 0
20
40
150
0.4
900
20
1400
23
3.8
5.5
300
0.5
pF
兆赫
dB
dB
民
典型值
最大
100
1000
单位
nA
nA
V
V
（ BR ） CEO
I
C
=1mA,I
B
=0
h
FE
C
re
f
T
G
ce
NF
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
V
CC
=12V,fL=260MHz,f=200MHZ
记号
记号
HE
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
