2SC3356 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC3356
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内容描述：	NPN硅外延型晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 39 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

NPN硅外延型晶体管

2SC3356

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

晶体管

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

NF = 1.1 dB典型值。，G

= 11 dB典型值。 @V

= 10 V，I

= 7 mA时， F = 1.0 GHz的

高功率增益。

MAG = 13 dB典型值。 @V

= 10 V，I

= 20 mA时， F = 1.0 GHz的

+0.1

1.3

-0.1

低噪声和高增益。

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

等级

3.0

100

200

150

-65到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益*

插入功率增益

噪声系数

反向传输电容

跃迁频率

* 。脉搏测量： PW

350

S，占空比

符号

CBO

EBO

21e

2%.

Testconditons

= 10 V，I

= 0毫安

= 1.0 V，I

= 0毫安

= 10 V，I

= 20毫安

= 10 V，I

= 20 mA时， F = 1 GHz的

= 10 V，I

= 7 mA时， F = 1 GHz的

= 10 V，I

= 0 mA时， F = 1兆赫

= 10 V，I

= 20毫安

民

典型值

0-0.1

最大

1.0

单位

120

11.5

1.1

0.55

250

2.0

1.0

GHz的

分类

记号

秩

R23

100

R24

160

125

R25

250

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