SMD型
NPN硅晶体管RF
2SC3357
IC
晶体管
特点
低噪声和高增益
NF = 1.1 dB典型值。 ，G
a
= 7.5 dB典型值。 @V
CE
= 10 V,
I
C
= 7 mA时， F = 1.0 GHz的
NF = 1.8 dB典型值。 ，G
a
= 9.0分贝TYP 。 @V
CE
= 10 V,
I
C
= 40 mA时， F = 1.0 GHz的
高功率增益： MAG = 10 dB典型值。 @我
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
热阻
*安装在16厘米* 0.7毫米（ T）陶瓷基片
2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
*
T
j
T
英镑
R
号（j -a）的
*
等级
20
12
3.0
100
1.2
150
-65到+150
62.5
单位
V
V
V
mA
W
/W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
插入功率增益
噪声系数
输出电容
跃迁频率
* 1脉冲测量PW
350毫秒，占空比
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
*1
|S
21e
|
2
NF
C
ob
f
T
2%
Testconditons
V
CB
= 10V ，我
E
=0
V
EB
= 1.0V ，我
C
=0
V
CE
=10V,Ic=20mA
V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA时， F = 1.0 GHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 7 mA时， F = 1.0 GHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 40 mA时， F = 1.0 GHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CE
= 10V ， IC = 20mA下
50
120
9
1.1
1.8
0.65
6.5
3.0
1.0
民
典型值
最大
1.0
1.0
250
dB
dB
dB
pF
GHz的
单位
A
A
* 2的发射端和外壳应连接到三端capacitnace桥的守卫终端。
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
RH
RH
20 100
RF
RF
80 160
RE
RE
125 250
www.kexin.com.cn
1
KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
