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型号: 2SC3585
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内容描述: NPN硅外延型晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 38 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
NPN硅外延型晶体管
2SC3585
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
NF 1.8分贝TYP 。 @f = 2.0 GHz的
镓9 dB典型值。 @f = 2.0 GHz的
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
20
10
1.5
35
200
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
最大可用增益
噪声系数
* 1 。脉冲测量PW
350ìs ,占空比
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
*1
fT
CRE * 2
|S
21e
|
2
MAG
NF
2%
Testconditons
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
EB
= 1V ,我
C
= 0
V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
V
CE
= 6 V,I
C
= 10 mA时, F = 2.0 GHz的
V
CE
= 6 V,I
C
= 10 mA时, F = 2.0 GHz的
V
CE
= 6 V,I
C
= 5毫安, F = 2.0 GHz的
6.0
50
100
10
0.3
8.0
10
1.8
3.0
0.8
典型值
最大
1.0
1.0
250
GHz的
pF
dB
dB
dB
单位
ìA
ìA
* 2,发射端和的情况下,应连接到三端电容桥的gurad终端。
h
FE
分类
记号
h
FE
R43
R43/Q
50 100
R44
R44/R
80 160
R45
R45/S
125 250
0-0.1
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1