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型号: 2SC4132
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内容描述: NPN外延平面硅晶体管 [NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 50 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
晶体管
NPN外延平面硅晶体管
2SC4132
特点
高的击穿电压
低集电极输出电容
高转换频率f = 80MHz的)
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
CollectorPower耗散
Junotion温度
储存温度
* 1单脉冲Pw = 10ms的
* 2当安装在40X40X0.7毫米的陶瓷板。
P
C
T
J
T
英镑
等级
120
120
5
2
3
0.5
2
150
-55到150
单位
V
V
V
A
A *1
W *2
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射极电流进行
发射极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
B
VCBO
B
VCEO
B
VEBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
C
ob
I
C
=50ìA
I
C
=1mA
I
E
=50ìA
V
CB
=100V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=1A/0.1A
V
CE
/I
C
=5V/0.1A
V
CE
=5V.I
E
=-0.1A,f=30MHz
V
CB
=10V,I
E=
0A,f=1MHz
82
80
20
Testconditons
120
120
5
1
1
0.4
390
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
h
FE
分类
TYPE
记号
CBP
P
82至180
CBQ
Q
120至270
CBR
R
180 to390
www.kexin.com.cn
1