欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SC4213 参数 Datasheet PDF下载

2SC4213图片预览
型号: 2SC4213
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 51 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
NPN硅外延
2SC4213
特点
高发射极 - 基极电压: V
EBO
= 25 V (分钟) 。
高反的hFE :逆H
FE
= 150 (典型值)(V
CE
= -2 V,I
C
= -4毫安) 。
低导通电阻,R
ON
= 1U (典型值) (我
B
= 5 mA)的。
高直流电流增益:H
FE
= 200 1200.
小包装。
晶体管
IC
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
20
25
300
60
100
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= 50 V,I
E
= 0
V
EB
= 25 V,I
C
= 0
V
CE
= 2 V,I
C
= 4毫安
200
0.042
0.61
30
4.8
160
7
典型值
最大
0.1
0.1
1200
0.1
V
V
兆赫
pF
ns
单位
ìA
ìA
V
CE (SAT)
I
C
= 30 A,I
B
= 3毫安
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= 2 V,I
C
= 4毫安
V
CE
= 6 V,I
C
= 4毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
贮存时间
TSTG
500
ns
下降时间
tf
占空比
2%
130
ns
h
FE
分类
记号
的hFE
AA
200 700
AB
350 1200
www.kexin.com.cn
1