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    2SC4272 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4272图片预览
    型号： 2SC4272
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延平面硅晶体管 [NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器
    文件页数/大小： 3 页 / 445 K
    品牌： KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
     浏览型号2SC4272的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4272的Datasheet PDF文件第3页  
    SMD型
    晶体管
    27MHz的CB收发器驱动器应用
    2SC4272
    特点
    体积小，因此很容易提供高密度，
    小尺寸的混合集成电路。
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散功率
    Jumction温度
    存储温度范围
    *安装在陶瓷板上（ 250毫米
    2
    X 0.8mm）的
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C *
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    75
    45
    5
    1.0
    1.5
    1.3
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    输出功率
    收藏家EF网络效率
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    Testconditons
    V
    CB
    = 40V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    = 0
    75
    45
    5
    60
    0.2
    0.9
    180
    250
    15
    1.0
    60
    1.8
    320
    0.6
    1.2
    V
    V
    兆赫
    pF
    W
    %
    民
    典型值
    最大
    1.0
    1.0
    单位
    A
    A
    V
    V
    V
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    =为10uA ，我
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    = 1毫安，R
    BE
    =
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    =为10uA ，我
    C
    = 0
    h
    FE
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 500毫安
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    f
    T
    C
    ob
    P
    O
    c
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 50毫安
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    V
    CC
    = 12V ， F = 27MHz时，引脚= 35MW
    见测试电路。
    www.kexin.com.cn
    1

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